1. సిలికాన్ ఆధారిత LED ల యొక్క ప్రస్తుత మొత్తం సాంకేతిక స్థితి యొక్క అవలోకనం

సిలికాన్ సబ్‌స్ట్రేట్‌లపై GaN పదార్థాల పెరుగుదల రెండు ప్రధాన సాంకేతిక సవాళ్లను ఎదుర్కొంటుంది. ముందుగా, సిలికాన్ సబ్‌స్ట్రేట్ మరియు GaN మధ్య 17% వరకు ఉన్న లాటిస్ అసమతుల్యత వలన GaN పదార్థం లోపల అధిక తొలగుట సాంద్రత ఏర్పడుతుంది, ఇది కాంతి సామర్థ్యాన్ని ప్రభావితం చేస్తుంది; రెండవది, సిలికాన్ సబ్‌స్ట్రేట్ మరియు GaN మధ్య 54% వరకు థర్మల్ అసమతుల్యత ఉంది, ఇది అధిక-ఉష్ణోగ్రత పెరుగుదల తర్వాత GaN ఫిల్మ్‌లను పగుళ్లకు గురి చేస్తుంది మరియు గది ఉష్ణోగ్రతకు పడిపోతుంది, ఉత్పత్తి దిగుబడిని ప్రభావితం చేస్తుంది. అందువల్ల, సిలికాన్ సబ్‌స్ట్రేట్ మరియు GaN సన్నని ఫిల్మ్ మధ్య బఫర్ పొర పెరుగుదల చాలా ముఖ్యమైనది. GaN లోపల తొలగుట సాంద్రతను తగ్గించడంలో మరియు GaN క్రాకింగ్‌ను తగ్గించడంలో బఫర్ లేయర్ పాత్ర పోషిస్తుంది. చాలా వరకు, బఫర్ లేయర్ యొక్క సాంకేతిక స్థాయి LED యొక్క అంతర్గత క్వాంటం సామర్ధ్యం మరియు ఉత్పత్తి దిగుబడిని నిర్ణయిస్తుంది, ఇది సిలికాన్ ఆధారిత దృష్టి మరియు కష్టంLED. ప్రస్తుతానికి, పరిశ్రమ మరియు విద్యారంగం రెండింటి నుండి పరిశోధన మరియు అభివృద్ధిలో గణనీయమైన పెట్టుబడితో, ఈ సాంకేతిక సవాలు ప్రాథమికంగా అధిగమించబడింది.

సిలికాన్ సబ్‌స్ట్రేట్ కనిపించే కాంతిని బలంగా గ్రహిస్తుంది, కాబట్టి GaN ఫిల్మ్‌ని మరొక సబ్‌స్ట్రేట్‌కి బదిలీ చేయాలి. బదిలీకి ముందు, GaN ద్వారా విడుదలయ్యే కాంతిని సబ్‌స్ట్రేట్ ద్వారా గ్రహించకుండా నిరోధించడానికి GaN ఫిల్మ్ మరియు ఇతర సబ్‌స్ట్రేట్ మధ్య అధిక రిఫ్లెక్టివిటీ రిఫ్లెక్టర్ చొప్పించబడుతుంది. సబ్‌స్ట్రేట్ బదిలీ తర్వాత LED నిర్మాణాన్ని పరిశ్రమలో థిన్ ఫిల్మ్ చిప్‌గా పిలుస్తారు. కరెంట్ డిఫ్యూజన్, థర్మల్ కండక్టివిటీ మరియు స్పాట్ యూనిఫార్మిటీ పరంగా థిన్ ఫిల్మ్ చిప్‌లు సాంప్రదాయ ఫార్మల్ స్ట్రక్చర్ చిప్‌ల కంటే ప్రయోజనాలను కలిగి ఉంటాయి.

2. ప్రస్తుత మొత్తం అప్లికేషన్ స్థితి మరియు సిలికాన్ సబ్‌స్ట్రేట్ LEDల మార్కెట్ అవలోకనం యొక్క అవలోకనం

సిలికాన్ ఆధారిత LED లు నిలువు నిర్మాణం, ఏకరీతి ప్రస్తుత పంపిణీ మరియు వేగవంతమైన వ్యాప్తిని కలిగి ఉంటాయి, ఇవి అధిక-శక్తి అనువర్తనాలకు అనుకూలంగా ఉంటాయి. దాని సింగిల్-సైడ్ లైట్ అవుట్‌పుట్, మంచి డైరెక్షనాలిటీ మరియు మంచి లైట్ క్వాలిటీ కారణంగా, ఇది ఆటోమోటివ్ లైటింగ్, సెర్చ్‌లైట్‌లు, మైనింగ్ ల్యాంప్స్, మొబైల్ ఫోన్ ఫ్లాష్ లైట్‌లు మరియు హై-ఎండ్ లైటింగ్ ఫీల్డ్‌లు వంటి అధిక కాంతి నాణ్యత అవసరాలతో మొబైల్ లైటింగ్‌కు ప్రత్యేకంగా అనుకూలంగా ఉంటుంది. .

జింగ్‌నెంగ్ ఆప్టోఎలక్ట్రానిక్స్ సిలికాన్ సబ్‌స్ట్రేట్ LED యొక్క సాంకేతికత మరియు ప్రక్రియ పరిపక్వం చెందింది. సిలికాన్ సబ్‌స్ట్రేట్ బ్లూ లైట్ LED చిప్‌ల రంగంలో ప్రముఖ ప్రయోజనాలను కొనసాగించడం ఆధారంగా, మా ఉత్పత్తులు అధిక పనితీరు మరియు అదనపు విలువ కలిగిన వైట్ లైట్ LED చిప్‌ల వంటి డైరెక్షనల్ లైట్ మరియు అధిక-నాణ్యత అవుట్‌పుట్ అవసరమయ్యే లైటింగ్ ఫీల్డ్‌లకు విస్తరిస్తూనే ఉన్నాయి. , LED మొబైల్ ఫోన్ ఫ్లాష్ లైట్లు, LED కారు హెడ్‌లైట్లు, LED వీధి దీపాలు, LED బ్యాక్‌లైట్ మొదలైనవి, క్రమంగా విభజించబడిన పరిశ్రమలో సిలికాన్ సబ్‌స్ట్రేట్ LED చిప్‌ల ప్రయోజనకరమైన స్థానాన్ని ఏర్పరుస్తాయి.

3. సిలికాన్ సబ్‌స్ట్రేట్ LED అభివృద్ధి ట్రెండ్ ప్రిడిక్షన్

కాంతి సామర్థ్యాన్ని మెరుగుపరచడం, ఖర్చులను తగ్గించడం లేదా వ్యయ-ప్రభావశీలత అనేది శాశ్వతమైన థీమ్LED పరిశ్రమ. సిలికాన్ సబ్‌స్ట్రేట్ థిన్ ఫిల్మ్ చిప్‌లను వర్తింపజేయడానికి ముందు తప్పనిసరిగా ప్యాక్ చేయాలి మరియు LED అప్లికేషన్ ధరలో ఎక్కువ భాగం ప్యాకేజింగ్ ఖర్చు అవుతుంది. సాంప్రదాయ ప్యాకేజింగ్‌ను దాటవేసి, పొరపై భాగాలను నేరుగా ప్యాకేజీ చేయండి. మరో మాటలో చెప్పాలంటే, పొరపై ఉన్న చిప్ స్కేల్ ప్యాకేజింగ్ (CSP) ప్యాకేజింగ్ ఎండ్‌ను దాటవేసి, చిప్ ఎండ్ నుండి అప్లికేషన్ ఎండ్‌ను నేరుగా ఎంటర్ చేసి, LED యొక్క అప్లికేషన్ ధరను మరింత తగ్గిస్తుంది. సిలికాన్‌పై GaN ఆధారిత LEDల అవకాశాలలో CSP ఒకటి. తోషిబా మరియు శాంసంగ్ వంటి అంతర్జాతీయ కంపెనీలు CSP కోసం సిలికాన్ ఆధారిత LED లను ఉపయోగిస్తున్నట్లు నివేదించాయి మరియు సంబంధిత ఉత్పత్తులు త్వరలో మార్కెట్లో అందుబాటులోకి వస్తాయని నమ్ముతారు.

ఇటీవలి సంవత్సరాలలో, LED పరిశ్రమలో మరొక హాట్ స్పాట్ మైక్రో LED, దీనిని మైక్రోమీటర్ స్థాయి LED అని కూడా పిలుస్తారు. మైక్రో LEDల పరిమాణం కొన్ని మైక్రోమీటర్ల నుండి పదుల మైక్రోమీటర్ల వరకు ఉంటుంది, దాదాపుగా ఎపిటాక్సీ ద్వారా పెరిగిన GaN సన్నని ఫిల్మ్‌ల మందం అదే స్థాయిలో ఉంటుంది. మైక్రోమీటర్ స్కేల్ వద్ద, మద్దతు అవసరం లేకుండా GaN మెటీరియల్‌లను నేరుగా నిలువుగా నిర్మాణాత్మకమైన GaNLEDగా తయారు చేయవచ్చు. అంటే, మైక్రో LED లను సిద్ధం చేసే ప్రక్రియలో, పెరుగుతున్న GaN కోసం సబ్‌స్ట్రేట్ తప్పనిసరిగా తొలగించబడాలి. సిలికాన్ ఆధారిత LED ల యొక్క సహజ ప్రయోజనం ఏమిటంటే, సిలికాన్ సబ్‌స్ట్రేట్‌ను రసాయన తడి ఎచింగ్ ద్వారా మాత్రమే తొలగించవచ్చు, తొలగింపు ప్రక్రియలో GaN పదార్థంపై ఎటువంటి ప్రభావం లేకుండా, దిగుబడి మరియు విశ్వసనీయతను నిర్ధారిస్తుంది. ఈ దృక్కోణం నుండి, సిలికాన్ సబ్‌స్ట్రేట్ LED టెక్నాలజీకి మైక్రో LEDల రంగంలో స్థానం ఉంటుంది.